Chip IC bóng bán dẫn điện tử 200V 9A IRF630 MOSFET xuyên lỗ
Chip IC bán dẫn 200V
,Chip IC bán dẫn 9A
,IRF630
MOSFET mạnh mẽ cho thiết bị điện tử hiệu suất cao
Mô tả IRF630: Nhận hiệu suất tuyệt vời từ mạch của bạn
IRF630 MOSFET là một thiết bị mạnh mẽ mang lại hiệu quả cao và hiệu suất vượt trội cho mọi nhu cầu điện tử của bạn.Được thiết kế để xử lý điện áp lên đến 200V và dòng điện lên đến 9,5A, bóng bán dẫn này hoàn hảo để sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm nguồn điện, điều khiển động cơ và bộ khuếch đại âm thanh.Với mức sạc cổng thấp và điện trở bật, IRF630 cho phép chuyển đổi nhanh hơn và giảm mức tiêu thụ điện năng, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các thiết kế tiết kiệm năng lượng.Ngoài ra, cấu trúc chắc chắn và khả năng chịu nhiệt độ cao của MOSFET đảm bảo hoạt động đáng tin cậy ngay cả trong những điều kiện khắc nghiệt nhất.Cho dù bạn là người đam mê điện tử hay chuyên nghiệp, IRF630 MOSFET là một lựa chọn tuyệt vời cho dự án tiếp theo của bạn.
Vậy tại sao phải chờ đợi?Đặt hàng của bạn ngay hôm nay và tự mình trải nghiệm sức mạnh và hiệu suất của bóng bán dẫn nổi bật này.
Đặc tính kỹ thuật:
- Công nghệ: Si
- Kiểu lắp: Xuyên lỗ
- Gói / Vỏ: TO-220-3
- Phân cực của bóng bán dẫn: Kênh N
- Số Kênh: 1 Kênh
- Vds - Điện áp sự cố nguồn thoát nước: 200 V
- Id - Dòng xả liên tục: 9 A
- Rds On - Điện trở nguồn thoát nước: 400 mOhms
- Vgs - Điện áp cổng-nguồn: - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: 2 V
- Qg - Phí cổng: 31 nC
- Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 65 C
- Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
- Pd - Tản điện: 75 W
- Chế độ kênh: Nâng cao
- Sê-ri: IRF630
- Bao bì: Ống
- Thương hiệu: STMicroelectronics
- Cấu hình: Đơn
- Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu: 3 S
- Chiều cao: 9,15 mm
- Chiều dài: 10,4mm
- Loại sản phẩm: MOSFET
- Thời gian tăng: 15 ns