Chip IC bóng bán dẫn 200V 30A IRFP250N MOSFET cho điện áp cao và dòng điện cao
Chip IC bán dẫn 200V
,Chip IC bán dẫn 30A
,IRFP250N
MOSFET công suất IRFP250N
Giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng dòng điện và điện áp cao
Bạn đang tìm kiếm một MOSFET đáng tin cậy cho dự án điện tử tiếp theo của mình?Không đâu khác ngoài IRFP250N Power MOSFET.MOSFET này có rất nhiều lợi ích khiến nó trở thành giải pháp hoàn hảo cho các ứng dụng có điện áp cao và dòng điện cao.
Ưu điểm:
- Khả năng chịu điện áp cao lên đến 200V
- Điện trở thấp (0,07 ohms), có nghĩa là nó có thể xử lý các mức hiện tại cao
- Tốc độ chuyển mạch cao giúp vận hành nhanh và hiệu quả
- Thiết kế bền và lâu dài
- Dễ dàng cài đặt và tích hợp vào các mạch có sẵn
- Giá cả phải chăng, làm cho nó trở thành một lựa chọn hiệu quả về chi phí cho DIYers và các chuyên gia
Nhược điểm:
- Có thể yêu cầu làm mát bổ sung để tránh quá nhiệt trong các ứng dụng năng lượng cao
- Không lý tưởng cho các ứng dụng điện áp thấp
- Có thể không phù hợp với các ứng dụng yêu cầu điều khiển cực kỳ chính xác
Tóm lại, IRFP250N Power MOSFET là một lựa chọn tuyệt vời cho các ứng dụng điện áp cao và dòng điện cao.Khả năng điện áp cao, điện trở thấp và tốc độ chuyển đổi nhanh làm cho nó trở thành một lựa chọn đáng tin cậy và giá cả phải chăng cho cả những người tự làm và các chuyên gia.Tuy nhiên, nó có thể yêu cầu làm mát bổ sung và có thể không phù hợp với các ứng dụng có điện áp thấp hoặc độ chính xác cao.
Đặc tính kỹ thuật:
- Kiểu lắp: Xuyên lỗ
- Gói / Vỏ: TO-247-3
- Phân cực của bóng bán dẫn: Kênh N
- Số Kênh: 1 Kênh
- Vds - Điện áp sự cố nguồn thoát nước: 200 V
- Id - Dòng xả liên tục: 30 A
- Rds On - Điện trở nguồn thoát nước: 75 mOhms
- Vgs - Điện áp cổng-nguồn: - 20 V, + 20 V
- Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 55 C
- Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 175 C
- Pd - Tản điện: 214 W
- Chế độ kênh: Nâng cao
- Thương hiệu: Infineon / Cấu hình IR: Đơn
- Thời gian mùa thu: 33 ns
- Chiều cao: 20,7 mm
- Chiều dài: 15,87mm
- Loại sản phẩm: MOSFET
- Thời gian tăng: 43 ns
- Tiểu thể loại: MOSFET
- Loại bóng bán dẫn: 1 kênh N
- Thời gian trễ tắt điển hình: 41 ns
- Thời gian trễ bật điển hình: 14 ns
- Chiều rộng: 5,31 mm
- Trọng lượng: 0,211644 oz