Transistor đa chức năng MOSFET kênh N, Transitor điện tử 55V 110A IRF3205
Nhóm:
Chip IC bóng bán dẫn
Trong kho:
trong kho
Giá bán:
Negotiable
Thông số kỹ thuật
Phần KHÔNG.:
IRF3205
danh mục sản phẩm:
MOSFET
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Vds - Điện áp sự cố nguồn xả:
55 V
Dòng điện liên tục:
110A
Tình trạng:
Mới
Làm nổi bật:
MOSFET kênh N bóng bán dẫn đa chức năng
,MOSFET kênh N bóng bán dẫn 55V
,IRF3205
Giới thiệu
Khám phá Transistor MOSFET IRF3205 đa năng
Cách mạng hóa mạch điện tử của bạn với bóng bán dẫn MOSFET IRF3205
IRF3205 là bóng bán dẫn MOSFET kênh N mạnh mẽ và đáng tin cậy, thường được sử dụng trong các mạch điện tử yêu cầu chuyển mạch công suất cao.MOSFET này có định mức điện áp tối đa là 55 vôn và có thể xử lý dòng điện liên tục lên đến 110 ampe.Điện trở ở trạng thái thấp chỉ 8 milliohms có nghĩa là nó tiêu hao rất ít điện năng ngay cả khi được sử dụng trong các ứng dụng có dòng điện cao.IRF3205 là sự lựa chọn tuyệt vời cho nguồn điện, điều khiển động cơ và các ứng dụng khác yêu cầu chuyển đổi dòng điện cao và điện áp cao.
Đặc tính kỹ thuật:
- Danh mục sản phẩm: MOSFET
- Công nghệ: Si
- Kiểu lắp: Xuyên lỗ
- Gói / Vỏ: TO-220-3
- Phân cực của bóng bán dẫn: Kênh N
- Số Kênh: 1 Kênh
- Vds - Điện áp sự cố nguồn xả: 55 V
- Id - Dòng xả liên tục: 110 A
- Rds On - Điện trở nguồn thoát nước: 8 mOhms
- Vgs - Điện áp cổng-nguồn: - 20 V, + 20 V
- Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 55 C
- Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 175 C
- Pd - Tản điện: 200 W
- Chế độ kênh: Nâng cao
- Thương hiệu: Infineon / IR
- Cấu hình: Đơn
- Thời gian mùa thu: 65 ns
- Chiều cao: 15,65 mm
- Chiều dài: 10 mm
- Loại sản phẩm: MOSFET
- Thời gian tăng: 101 ns
- Tiểu thể loại: MOSFET
- Loại bóng bán dẫn: 1 kênh N
- Thời gian trễ tắt điển hình: 50 ns
- Thời gian trễ bật điển hình: 14 ns
- Chiều rộng: 4,4 mm
- Trọng lượng: 0,068784 oz
Gửi RFQ
Cổ phần:
In Stock
MOQ:
1