Chip IC bóng bán dẫn MOSFET 200V IRF640NPBF cho các ứng dụng nguồn
Chip IC bóng bán dẫn MOSFET
,Chip IC bóng bán dẫn công suất
,IRF640NPBF
MOSFET công suất cao cho các ứng dụng nguồn
Trải nghiệm hiệu suất vượt trội của MOSFET IRF640NPBF
Nếu bạn đang tìm kiếm một MOSFET mạnh mẽ cho các ứng dụng năng lượng của mình, thì IRF640NPBF là lựa chọn hoàn hảo dành cho bạn.Bóng bán dẫn chế độ tăng cường kênh N hiệu suất cao này được thiết kế để mang lại hiệu suất tuyệt vời với điện trở trạng thái thấp chỉ 0,18 ohm.MOSFET này có khả năng xử lý dòng điện tối đa 18 ampe, khiến nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu xử lý dòng điện cao.Ngoài ra, định mức điện áp tối đa của nó là 200 volt đảm bảo hoạt động đáng tin cậy, ngay cả khi chịu tải nặng.Với thiết kế chắc chắn và bền bỉ, IRF640NPBF được chế tạo để tồn tại lâu dài.Gói của nó là TO-220AB, được biết đến rộng rãi trong lĩnh vực điện tử nhờ hiệu suất nhiệt tuyệt vời.Điều này có nghĩa là nó có thể chịu được nhiệt độ cao mà không bị trục trặc.
MOSFET này cũng có tốc độ chuyển đổi nhanh, giúp nó đạt hiệu quả cao trong bất kỳ ứng dụng nguồn nào.Ngoài ra, nó rất dễ cài đặt và có thể được sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau, bao gồm điều khiển động cơ, bộ điều chỉnh chuyển mạch, trình điều khiển điện từ, v.v.
Tóm lại, nếu bạn đang tìm kiếm một MOSFET mạnh mẽ cho các ứng dụng năng lượng của mình, thì IRF640NPBF là một lựa chọn tuyệt vời.Với các tính năng vượt trội và thiết kế mạnh mẽ, bạn có thể chắc chắn rằng nó sẽ mang đến cho bạn hiệu suất đáng tin cậy và hiệu quả trong nhiều năm tới.
Đặc tính kỹ thuật:
- Công nghệ: Si
- Kiểu lắp: Xuyên lỗ
- Gói / Vỏ: TO-220-3
- Phân cực của bóng bán dẫn: Kênh N
- Số Kênh: 1 Kênh
- Vds - Điện áp sự cố nguồn thoát nước: 200 V
- Id - Dòng xả liên tục: 18 A
- Rds On - Điện trở nguồn thoát nước: 150 mOhms
- Vgs - Điện áp cổng-nguồn: - 20 V, + 20 V
- Vgs th - Điện áp ngưỡng cổng nguồn: 2 V
- Qg - Phí cổng: 44,7 nC
- Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 55 C
- Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 175 C
- Pd - Tản điện: 150 W
- Chế độ kênh: Nâng cao
- Bao bì: Ống
- Thương hiệu: Công nghệ Infineon
- Cấu hình: Đơn
- Thời gian mùa thu: 5,5 ns
- Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu: 6,8 S
- Chiều cao: 15,65 mm
- Chiều dài: 10 mm
- Loại sản phẩm: MOSFET
- Thời gian tăng: 19 ns