Mua HGTG11N120CND: Giải pháp chuyển mạch công suất cao tối ưu

Ưu và nhược điểm của HGTG11N120CND: Có đáng để đầu tư?

Bạn đang tìm kiếm một giải pháp chuyển mạch công suất cao đáng tin cậy?Không tìm đâu xa ngoài HGTG11N120CND.Thiết bị này được thiết kế để xử lý các tải dòng điện và điện áp cao, khiến nó trở thành thiết bị yêu thích của những người đam mê điện tử và các chuyên gia.

Ưu điểm:

- Khả năng xử lý dòng điện và điện áp cao

- Tốc độ chuyển mạch nhanh cho hiệu suất tối ưu

- Điện áp bão hòa giữa bộ thu và bộ phát thấp giúp sử dụng năng lượng hiệu quả

- Thiết kế chắc chắn và bền bỉ giúp kéo dài tuổi thọ - Tương thích với nhiều ứng dụng điện tử

Nhược điểm:

- Tương đối đắt so với một số tùy chọn chuyển mạch công suất cao khác

- Có thể yêu cầu kiến ​​thức kỹ thuật nâng cao để cài đặt và vận hành đúng cách

Nhìn chung, HGTG11N120CND là một khoản đầu tư vững chắc cho những ai cần một thiết bị chuyển mạch công suất cao đáng tin cậy.Với hiệu suất tuyệt vời và hiệu quả năng lượng, thiết bị này chắc chắn sẽ mang lại kết quả.Tuy nhiên, điều quan trọng cần lưu ý là mức giá và các yêu cầu kỹ thuật của nó có thể không lý tưởng cho tất cả người dùng.

Chi tiết kỹ thuật:

• Nhà sản xuất:onsemi
• Danh mục sản phẩm:Bóng bán dẫn IGBT
• RoHS:Chi tiết
• Công nghệ: Si
• Gói/Vỏ: TO-247-3
• Kiểu lắp: Thông qua lỗ
• Cấu hình: Đơn
• Điện áp cực thu- cực phát VCEO Max:1,2 kV
• Điện áp bão hòa Collector-Emitter:2.1 V
• Điện áp bộ phát cổng tối đa:- 20 V, + 20 V
• Dòng Collector liên tục ở 25 C:43 A
• Pd - Tản điện 298 W
• Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 55 C
• Nhiệt độ hoạt động tối đa:+ 150 C
• Sê-ri: HGTG11N120CND
• Bao bì:Ống
• Thương hiệu: onsemi/Fairchild
• Bộ sưu tập liên tục
• Hiện tại: 55 A
• Bộ thu liên tục Ic hiện tại Max: 43 A
• Rò rỉ Gate-Emitter hiện tại: +/- 250 nA
• Chiều cao:20,82mm
• Chiều dài:15,87 mm
• Loại sản phẩm:Bóng bán dẫn IGBT
• Tiểu thể loại:IGBT
• Chiều rộng:4,82 mm
• Phần # Bí danh: HGTG11N120CND_NL
• Đơn vị trọng lượng:6,390 g