Gửi tin nhắn
Trang chủ > các sản phẩm > Chíp điện tử > IC MOSFET kênh SVF7N65F 650V N 1.4 Ohm 30 MHz xuyên lỗ

IC MOSFET kênh SVF7N65F 650V N 1.4 Ohm 30 MHz xuyên lỗ

Nhóm:
Chíp điện tử
Trong kho:
trong kho
Giá bán:
Negotiable
Thông số kỹ thuật
Kiểu:
MOSFET
Loại gói:
Xuyên lỗ
Sức mạnh tối đa:
46W
Tần suất - Chuyển tiếp:
30 MHz
Nhiệt độ hoạt động:
150°C (TJ)
Kiểu lắp:
Thông qua lỗ
Gói / Trường hợp:
TO220F
Xả điện áp nguồn (Vdss):
650V
Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vss:
1,4 ôm
VGS (Tối đa):
30 V
Cống hiện tại (Id) - Tối đa:
7A
Làm nổi bật:

IC MOSFET kênh 650V N

,

IC MOSFET kênh N 1.4 Ohm

,

SVF7N65F

Giới thiệu

Giới thiệu Transistor công suất cao SVF7N65F SI7N65F

Giải phóng tiềm năng thực sự của nguồn điện của bạn với công nghệ nâng cao

 

Chuyển đổi nguồn điện của bạn với bóng bán dẫn SVF7N65F SI7N65F đặc biệt, được thiết kế để mang lại cho bạn những lợi ích vô song.Được sản xuất bằng công nghệ xử lý VAMOS hiện đại, bóng bán dẫn này có thiết kế tế bào hình dải mang lại hiệu suất chuyển mạch vượt trội, điện trở thấp và khả năng chịu sự cố tuyết lở đáng kinh ngạc.

 

Với 7A, 650V, RDS(on) và điện tích cổng thấp, bóng bán dẫn này có điện dung truyền ngược thấp, tốc độ chuyển mạch nhanh và khả năng dv/dt được cải thiện.Lý tưởng để sử dụng trong bộ nguồn chuyển đổi AC-DC, bộ chuyển đổi nguồn DC-DC và ổ đĩa động cơ PWM cầu H điện áp cao, sản phẩm này thực sự mang lại hiệu quả.Nâng cấp nguồn điện của bạn với bóng bán dẫn SVF7N65F SI7N65F ngay hôm nay và trải nghiệm hiệu suất cao nhất.

 

 

Người chỉ định loại

SVF7N65F

Loại bóng bán dẫn

MOSFET

Loại kênh điều khiển

Kênh N

Tản điện tối đa (Pd)

46 W

Điện áp cực đại nguồn xả |Vds|

650 V

Điện áp cổng nguồn tối đa |Vgs|

30 V

Dòng xả tối đa |Id|

7 A

Nhiệt độ mối nối tối đa (Tj)

150°C

Thời gian tăng (tr)

48 nS

Điện dung nguồn xả (Cd)

98,6pF

Điện trở trạng thái nguồn xả tối đa (Rds)

1,4 Ôm

Bưu kiện

TO220F

 

 

Gửi RFQ
Cổ phần:
In Stock
MOQ:
1